作者： 李保力 日期：2025-06-20 19:39:35 点击数：
在半导体技术日益成为国家竞争力的关键之际，珠海格力电子元器件有限公司携手珠海格力电器股份有限公司，按下了创新的快门。根据金融界于2025年3月29日报道，国家知识产权局的最新数据显示，这两家公司于2024年12月申请了一项革命性专利，公开号为CN119698050A，名为“半导体器件的终端结构、其制备方法和半导体器件”。
此项专利的核心目标是解决平面型碳化硅MOSFET功率芯片在高温高湿环境条件下，因不同介质层之间热膨胀系数差异导致的水汽渗透问题，这一问题常常成为影响芯片寿命的“隐形杀手”。
根据专利摘要，新的半导体器件终端结构包括多个关键部分，如衬底、外延层、场氧化层等，精密设计确保在恶劣环境中，水汽无法轻易进入芯片，这无疑为未来电子设备的可靠性提供了有力保障。
从成立仅两年的珠PG电子游戏合集海格力电子元器件有限公司来看，该企业已在电气元件制造领域展现出强劲的成长潜力。通过参与28次招投标和拥有124项专利，这家公司不仅在技术研发上积极进取，同时也在行业竞争中占据了一席之地。
显然，这不仅是一项专利的成功申请，这也是珠海格力在推动半导体技术前沿，提升中国在全球科技竞争中的地位方面迈出的坚实一步。未来，随着这一专利的落地，该公司有望为半导体行业带来新的技术突破，进一步延长芯片寿命，提升电子设备的性能PG电子游戏合集与稳定性。返回搜狐，查看更多
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