士兰微（股票代码：600460）是中国半导体行业IDM模式的代表企业，通过垂直整合模式在功率半导体、MEMS传感器、LED和第三代半导体领域占据重要地位。

　　1997年：士兰微由陈向东等创始团队在杭州成立，早期专注于集成电路芯片设计，逐步发展为国内少有的IDM模式半导体企业。

　　2003年：士兰微在上海证券交易所挂牌上市，成为中国首家上市的集成电路芯片设计企业，标志着资本化进程加速。

　　2007年：公司开始向功率半导体器件（如IGBT、MOSFET）和MEMS传感器领域扩展，奠定了在工业控制、家电等领域的市场地位。

　　2010年：士兰微成立子公司士兰明芯，切入LED芯片制造领域，并在杭州建设LED外延片和芯片生产线，推动LED业务成为重要增长点。

　　2017年：成立士兰化合物半导体公司，专注于第三代半导体材料（如碳化硅SiC、氮化镓GaN）的研发与生产，抢占新能源和5G通信市场先机。

　　2018年：士兰微启动车规级功率器件和芯片的研发，通过IATF 16949认证，进入新能源汽车、车载电源等高端市场。

　　2020年：士兰微在厦门投资建设的12英寸特色工艺芯片生产线正式投产，重点生产功率半导体和MEMS芯片，大幅提升产能和技术竞争力。

　　2021年：士兰微宣布其SiC功率器件进入量产阶段，应用于新能源汽车、光伏逆变器等领域，成为国内少数掌握SiC全产业链技术的企业。

　　2022年：车规级IGBT、MOSFET等产品批量供应比亚迪、零跑等车企，并在新能源汽车主驱逆变器中实现应用，推动营收大幅增长。

　　2023年：加快碳化硅、氮化镓等第三代半导体研发，深化与汽车、光伏客户的合作，同时推进海外市场布局，增强全球竞争力。

　　士兰微2024年的营收为112.21亿元，同比增长20.14%；归母净利润2.2亿元，同比增长714.4%。

　　士兰微的主营业务包括电子元器件、集成电路、发光二极管产品等，具体占比如下：

　　半导体器件业务包括分立器件成品、IPM智能功率模块、IGBT及其他功率模块、AC-DC电路、DC-DC电路、LED照明驱动电路、栅极驱动集成电路、MEMS传感器电路和数字音视频电路等。

　　集成电路芯片涵盖模拟电路、变频控制系统和芯片、MEMS传感器产品、功率半导体产品（如IGBT、超结MOSFET和高密度沟槽栅MOSFET）、第三代半导体产品（如SiC）、智能功率模块产品（IPM）、车规级和工业级功率模块产品（PIM）、高压集成电路等。

　　士兰微电子（600460）作为中国少数采用IDM模式（设计、制造、封装一体化）的半导体企业，其竞争优势体现在技术、产能、市场布局和产业链整合等多个维度。

　　垂直整合优势：士兰微是国内极少数具备芯片设计、晶圆制造、封装测试全链条能力的半导体企业。IDM模式使其能够：

　　快速响应市场需求：设计与制造环节协同优化，缩短产品开发周期（如车规级芯片开发效率提升）；

　　技术迭代自主性：自主掌握工艺升级（如12英寸产线、SiC工艺），避免被“卡脖子”。

　　IGBT/MOSFET：在国内中低压IGBT、超结MOSFET市场占有率居前，产品覆盖家电、工控、新能源等领域；

　　车规级认证：通过AEC-Q101、IATF 16949等认证，批量供货比亚迪、吉利、零跑等车企，应用于主驱逆变器、OBC等关键部件。

　　碳化硅（SiC）：国内率先实现SiC MOSFET量产，应用于光伏逆变器、新能源汽车电驱系统；

　　3. 产能与工艺：12英寸产线年投产）聚焦高压功率芯片、MEMS传感器等，产能达6万片/月，大幅提升高端产品供给能力；

　　特色工艺积累：在BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）、IGBT、MEMS等工艺上经验丰富，差异化竞争避开先进制程“红海”。

　　新能源赛道：光伏逆变器芯片（SiC、IGBT）受益于全球光伏装机量增长；储能系统配套功率器件需求持续上升。

　　汽车电子：车规级芯片已进入主流车企供应链，2022年车载收入占比超10%，增速显著；新能源汽车电驱、车载充电（OBC）、电池管理（BMS）等场景全面渗透。

　　国家“十四五”规划将半导体列为战略产业，功率半导体、车规芯片是重点支持领域；

　　中美科技竞争下，国产替代需求迫切，士兰微作为IDM本土企业更易获得客户信任（如华为、阳光电源等合作）。

　　技术方面：与国际巨头（英飞凌、安森美）相比，车规级芯片可靠性、SiC良率仍有差距；

　　传感器：MEMS传感器在医疗和自动驾驶中增长显著（CAGR 8%-10%）。

　　先进制程：3nm/2nm芯片量产（台积电、三星）推动高性能计算（HPC）需求。

　　汽车电子：电动车（EV）渗透率提升，单车芯片价值从500美元增至1500美元（麦肯锡）。

　　政策支持：美国《芯片与科学法案》、欧盟《芯片法案》、中国“十四五”规划推动本土产能投资。

　　半导体行业从美国一枝独秀，到日韩台崛起，再到中国大陆奋力追赶，背后是技术、资本与政策的复杂博弈。

　　从晶体管到集成电路，从个人计算机到人工智能，每一次技术革命都重塑了行业格局。以下是关键阶段的详细梳理：

　　1947年：贝尔实验室的肖克利（ShockPG电子新手教程ley）、巴丁（Bardeen）和布拉顿（Brattain）发明晶体管，替代真空管，奠定半导体物理基础。

　　1954年：德州仪器（TI）推出首个商用硅晶体管，半导体进入实用化阶段。

　　1958年：杰克·基尔比（PG电子新手教程Jack Kilby，TI）和罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce，仙童半导体）分别独立发明集成电路（IC），实现多个元件集成到单一硅片。

　　1965年：戈登·摩尔提出摩尔定律（芯片晶体管数量每18-24个月翻倍），成为行业技术迭代的指导原则。

　　1968年：罗伯特·诺伊斯与戈登·摩尔离开仙童，创立英特尔（Intel），专注存储器与微处理器。

　　1971年：英特尔推出全球首个商用微处理器4004，开启计算机小型化时代。

　　1980年代：IBM PC和苹果Macintosh推动个人计算机（PC）普及，英特尔x86架构主导CPU市场。

　　➤ 日本崛起（东芝、NEC）在存储器领域挑战美国，1986年日本DRAM市占率达80%。

　　1987年：张忠谋创立台积电（TSMC），开创晶圆代工（Foundry）模式，设计（Fabless）与制造（Foundry）分离。

　　1990年代：韩国三星、海力士（SK Hynix）通过逆周期投资击败日本，成为DRAM/NAND领导者。

　　➤ 台积电、联电（UMC）推动代工模式成熟，高通（Qualcomm）、英伟达（NVIDIA）等Fabless公司崛起；

　　➤ 中国大陆通过政策扶持（“908”“909”工程）初步建立半导体产业链。

　　➤ 智能手机爆发（iPhone、安卓），推动移动处理器（ARM架构）、射频芯片（Skyworks、Qorvo）需求；

　　➤ 台积电凭借先进制程（16nm→7nm→5nm）超越英特尔，成为全球最大Foundry；

　　➤ 中国大陆加速追赶：中芯国际（SMIC）量产14nm，华为海思设计出5G芯片（麒麟系列）。

　　➤ 人工智能（AI）与数据中心需求催生GPU（英伟达）、TPU（谷歌）等专用芯片；

　　➤ 地缘竞争加剧：美国《芯片法案》、欧盟《芯片法案》、中国“大基金”推动本土产能建设。

　　➤ 技术壁垒攀升：EUV光刻机（ASML垄断）、3nm以下制程研发成本超百亿美元；

　　➤ 多极化竞争：美国（设计/设备）、韩国（存储）、中国台湾（代工）、中国大陆（成熟制程扩产）形成新格局；

　　➤ 新兴技术：Chiplet（芯粒）、量子计算、光子芯片探索下一代架构。

　　2022年，士兰微营收82.82亿元，同比增长15.12%；归母净利润10.52亿元，同比减少30.66%。

　　2024年，士兰微营收112.21医院，同比增长20.14；归母净利润2.2医院，同比增长714.4%。

　　2023和2024，简直就是过山车，2025会怎样？一季度报还不错。2025第一季度，士兰微营收30亿元，同比增长21.7%；归母净利润1.49医院，同比增长1072.43%。

　　士兰微在2024年实现了显著的营收增长和市场份额提升，展现出强劲的发展势头。

　　营收和市场份额方面，士兰微在2024年实现了112.21亿元的营业收入，同比增长20.14%，创下了中国本土成长起来的半导体IDM公司的历史性时刻。公司在全球功率半导体市场中的份额从2023年的2.6%提升至2024年的3.3%，跃居全球第六位。此外，士兰微在2025年第一季度继续保持稳健增长，实现营业收入近30亿元，同比增长21.7%，并实现净利润1.49亿元，同比扭亏。

　　市场拓展和产品优化方面，士兰微依托其IDM模式，通过长期的产品结构调整和市场拓展，成功进入大型白电、通讯、工业、新能源、汽车等高门槛市场。公司在集成电路、功率器件、功率模块、MEMS传感器、光电器件和第三代化合物半导体芯片等领域均有显著发展。具体来说，IPM模块、AC-DC电路、32位MCU电路、快充电路等产品的出货量明显加快，应用于汽车、光伏的IGBT和SiC产品的营收增长了60%以上。

　　技术创新和未来规划方面，士兰微持续加大技术研发投入，8英寸芯片生产线英寸芯片生产线正在建设中。此外，公司车规级功率器件产品已通过多家汽车厂商认证，进一步提升了其在高端市场的竞争力。公司预计2025年实现营业收入140亿元左右，同比增长约25%，并计划继续发挥IDM模式的优势，聚焦高端客户和高门槛市场。